车规级功率器件综合测试系统
车规级功率器件综合测试系统包含动态/静态特性分析测试、连续功率测试、热阻分析和功率循环测试等多个测试子系统，其中车规级功率器件动态测试系统是专门用于针对车载三代半导体功率器件的动态特性分析测试，旨在解决客户在功率器件动态特性表征中常见的疑难问题，包括如何设计高速工作的驱动电路，如何适配多种芯片封装形式，如何选择和连接探头进行信号测试，如何优化和抑制测试过程中的噪声和干扰。帮助客户在研发设计、失效分析、进厂检测和试产阶段快速评估器件性能，更快应对市场需求改善产品性能。也帮助客户快速验证自研驱动电路，加速应用端解决方案落地。
| 类别 | 项目 | 指标 |
|---|---|---|
| 采样 | 测试采样频率 | 10GS/s |
| 示波器测量带宽 | 2GHz | |
| 电流测试最高带宽 | 200MHz | |
| 电压测试最高带宽 | 200MHz | |
| 测试能力 | 测试最高电压 | 2000V |
| 最大测试电流 | 1500A | |
| 回路电感 | ~10nH | |
| 测试电感 | 10-500uH (分档可调) | |
| 门级驱动 | 开通电压 | +20V |
| 关断电压 | -12V | |
| 最大电流 | 15A | |
| 驱动电阻 | 0-255Ω | |
| 器件 类型 |
测试器件类型 | 碳化硅MOSFET模块 |
| 测试封装类型 | 不同封装结构的功率模块 | |
| 温度 | 测试设备工作温度 | 15-40℃ |
| 模块测试温度范围 | 室温-175°C |
特色功能
- 使用泰克的高共模抑制比的高压差分ISOVU光隔离探头，满足新一代SiC/GaN半导体器件更高母线电压和更快开关时间的测量挑战要求
- 选用12 bit垂直分辨率示波器产品，正确反映波形的细节，获取特性参数的准确结果
- 低回路电感设计，系统典型值< 10nH @2000V
- 自动测试功率半导体模块等功率半导体器件的双脉冲(Double Pulse Testing)、单脉冲(Single Pulse Testing) 和短路安全工作区测试，测试方案完全符合IEC60747-8/9, JEDEC标准
- 功率器件筛管测试，特有精准分类筛管算法，支持大批量和样品级测试
- 动态可靠性测试，具备预处理及消除迟滞效应的功能，具备高温高速高频高精度交流脉冲源、高精度、检测的参数多、对应方法多、检测快等特点
被测对象
SiC/GaN单管、模块，适应各种封装和驱动电路，并可全面验证功率器件在车载OBC/DC-DC、充电桩、光伏储能逆变器等应用场景下输入与输出功率能力、发热、效率等方面的性能。
- 实验室半导体器件或模块动态参数验证
- 实验室驱动与半导体器件匹配动态参数验证和整改
- 教学和科研的半导体器件或模块整体动态参数评估
- 半导体器件电路应用的特性筛选测试
- 半导体分立器件脉冲测试
系统优势
- 高效率
可进行双脉冲测试/QG/RDS(ON)测试，单次测试即可完成开关特性和反向恢复特性测试 - 关键技术
特有驱动电路的设计和滤波算法可将测试主回路杂感低至6nH测试均一性由15%降至5%以内 - 数据管理
实时保存测试结果(CSV)，可选择同时保存波形数据，生成报告 - 安全防护
防爆、防触电、防烫伤、过流保护、过压保护， 10kA级短路电流测试能力，放心探索产品极限
功率器件其他测试方案
碳化硅功率半导体静态特性测试系统
| 01 | ✓ 测试精度更高 ✓ 测试方法更迭 ✓ 测试范围更宽 ✓ 温度敏感性问题更突出 |
| 02 | ✓ 动静态系统匹配兼容 |
| 03 | ✓ 特有精准分类筛管算法 ✓ 支持客户自定义标准 ✓ 支持大批量和样品级测试 |
更高性价比，测试更可靠
- 器件类型：IGBT & SiC MOSFET
- 覆盖-40℃~200℃ 全温度范围测试
- 开放主流厂家静态参数测试条件，亦可更具客户需求自定义
- 满足各种封装需求
车规级碳化硅功率半导体模块连续功率测试系统
- 测上限：验证车规级SiC MOSFET功率半导体模块在电驱动系统应用工况下连续功率能力和最大输出能力
- 测耐久：验证车规级SiC MOSFET功率半导体模块电应力与热应力，以及耐久特性。
- 全面高效： 为可靠性及寿命提供保证，加速推动车规级SiC MOSFET模块批量可靠应用
热阻分析和功率循环测试系统
- 测试系统采用多个被测串联测试加热原理，每路通过控制电源的输出，给被测元件施加不同的加热电流
- 支持完成秒级功率循环、分钟级功率循环
- 支持完成静态热阻测试、瞬态热阻测试
- 测试满足MIL-STD-750 Method，IEC相关标准要求
提问
您的问题将推送给已购用户，TA们会帮您解答
